大聯大世平集團推出基於onsemi產品的高頻小型化工業電源方案

致力於亞太區市場的領先零組件通路商大聯大控股宣佈,其旗下世平推出基於安森美(onsemi)NCP51561高壓隔離驅動器的高頻小型化工業電源方案。

 

在“雙碳”話題愈演愈烈的當下,以GaN氮化鎵/SiC碳化矽為材料的功率半導體器件進入了加速發展車道。GaN和SiC被稱為“寬帶隙半導體(WBG)”,具備耐高溫、耐高壓、高頻率、大功率、抗輻射等優異特性,可以幫助產品實現更高的開關效率。據業內人士介紹,GaN是最接近理想的半導體開關器件,能夠以非常高的效能和高功率密度來實現電源轉換,輕鬆滿足服務器和雲端數據中心最嚴格的80+規範或USB PD外部適配器的歐盟行為準則Tier 2標準。基於此背景,大聯大世平推出基於onsemi NCP51561的高頻小型化工業電源方案。

 

NCP51561是onsemi推出的一款高壓隔離型雙通道門極驅動器,具有4.5A源電流和9A灌電流峰值能力。該新器件適用於矽功率MOSFET和基於SiC的MOSFET器件的快速開關,提供短且匹配的傳播延遲。

 

此外,NCP51561還具有兩個獨立的5kVRMS(UL1577級)電隔離門極驅動器通道,可用作兩個下橋、兩個上橋開關或一個半橋驅動器,具備可編程的死區時間。不僅如此,器件的一個使能引腳能同時關斷兩個輸出,且NCP51561提供其他重要的保護功能,如用於兩個門極驅動器的獨立欠壓鎖定(UVLO)和使能功能。得益於這些出色的功能,可有效提高小型化工業電源的能源轉換效率。

 

核心技術優勢

  • 兩個輸出驅動器擁有獨立UVLO保護;
  • 輸出電壓為5V至30V,具有5V、8V和17V UVLO閾值;
  • 4A峰值電流源,8A峰值電流吸收;
  • 150V/ns dV/dt抗擾度;
  • 36 ns典型傳遞延遲;
  • 8 ns最大延遲匹配;
  • 可編程輸入邏輯;
  • 通過ANB的單或雙輸入模式;
  • 可編程死區時間;
  • Enable功能;
  • 隔離與安全:
  • 從輸入到每個輸出的5kVRMS電流隔離和輸出通道之間的1200V峰值差分電壓;
  • 1200V工作電壓(根據VDE0884−11要求)。

 

方案規格

  • 雙低側、雙高側或半橋驅動器;
  • 輸出電源電壓為5V至30V,具有5V、8V和17V UVLO閾值;
  • 4A峰值電流源,8A峰值電流吸收。